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    DB3708T+28-2023脱毒甘薯日光温室育苗技术规程.pdf

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    DB3708T+28-2023脱毒甘薯日光温室育苗技术规程.pdf

    1、脱毒甘薯日光温室育苗技术规程Technical code of practice for seedling cultivation of virus-freesweet potato in solar greenhouse2023-05-16 发布2023-06-16 实施DB3708济宁市地方标准DB3708/T 282023济宁市市场监督管理局发 布ICS 65.020.20CCS B 05DB3708/T 282023I目次前言.II1范围.12规范性引用文件.13术语和定义.14设施设备.15设施设备消毒.15.1温室消毒.15.2穴盘消毒.16基质配比与装盘摆放.26.1基质配比.2

    2、6.2基质装盘.26.3穴盘摆放.27脱毒组培苗扦插.27.1组培苗分段.27.2茎段扦插.27.3浇水.27.4杀菌.28苗期管理.28.1温、光、气管理.28.2水分管理.38.3肥料管理.38.4病虫草害防控.38.5通风降温炼苗.39脱毒苗扩繁.310商品苗要求.311生产档案.4附 录 A.5DB3708/T 282023II前言本文件按照GB/T 1.1-2020标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则的规定起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本文件由济宁市农业农村局提出、归口并组织实施。DB3708/T 2820231脱毒

    3、甘薯日光温室育苗技术规程1范围本文件规定了脱毒甘薯育苗设施设备、消毒、基质配比与装盘摆放、脱毒组培苗扦插、苗期管理、脱毒苗扩繁、商品苗等要求。本文件适用于脱毒甘薯苗在日光温室的繁育。2规范性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB 5084农田灌溉水质标准GB/T 8321农药合理使用准则GB/T 17187 农业灌溉设备滴头和滴灌管技术规范和试验方法NY/T 496肥料合理使用准则通则3术语和定义下列术语和定义适用于本文件。3.1脱毒甘薯

    4、组培苗 tissue culture plantlets of virus-free sweet potato根据植物细胞具有全能性的理论,利用甘薯外植体组织,在无菌和适宜的人工条件下,培育的脱去对甘薯生产有重大影响的病毒病的甘薯苗。3.2脱毒甘薯苗 plantlets of virus-free sweet potato培育的脱去对甘薯生产有重大影响的病毒病的甘薯苗。4设施设备日光温室育苗所需设施设备包括:日光温室、防虫网、遮阳网、基质搅拌机、育苗穴盘、育苗床、喷淋降温系统、通风设备、加温设备和灌溉设备等,农业灌溉设备滴头和滴灌管的选择要符合 GB/T 17187的要求。5设施设备消毒5.1

    5、温室消毒温室使用前,每 666.7 m2地块使用高锰酸钾 1.65 kg、40%甲醛 1.65 kg 和无菌水 8.4 kg 仔细彻底消毒。具体操作方法为在水中添加甲醛,然后加入高锰酸钾,形成烟雾反应,而后将温室封闭 48 h 进行消毒处理。5.2穴盘消毒使用 40%甲醛 1000 倍液,浸泡育苗穴盘 15 min20 min,并密闭穴盘 7 d,然后用清水清洗干净,备用。DB3708/T 28202326基质配比与装盘摆放6.1基质配比育苗基质选择草炭、珍珠岩(粒径 3 mm)、蛭石,按照 631 比例配制。配制基质前,先用筛子对草炭进行过筛处理,配制时需搅拌均匀,每 m基质之中可添加三元复

    6、合肥(N 含量:P2O5含量:K2O 含量=15:15:15)1 kg。之后,选择 50%多菌灵 500 倍液喷施,或每 m基质使用代森锰锌 80 g100 g,对基质采取灭菌消毒处理。消毒后,将配制完成的基质用塑料薄膜密封 7 d 后方可使用。装育苗盘时基质含水量以手握紧基质不出水,松开不松散为宜。肥料选用要符合 NY/T 496 的规定。6.2基质装盘育苗盘应选择孔径和孔深均为 4 cm5 cm 的长方形或者正方形育苗盘。基质装盘时,需确保所有穴孔均填满基质,并压紧压实,避免中空。6.3穴盘摆放基质装盘后,穴盘平整摆放,保持在同一水平面;穴盘长边相邻摆放,每行宽 80 cm120 cm;为

    7、了便于操作管理,每两行之间留 50 cm60 cm 操作通道。7脱毒组培苗扦插7.1组培苗分段将经过炼苗后的脱毒甘薯组培苗,用无菌剪刀剪成带有一个叶片和一个腋芽的茎段,腋芽下部保留1.5 cm2 cm,腋芽上部保留 0.5 cm1 cm。7.2茎段扦插茎段下部扦插入备好的穴盘基质中,腋芽露出基质表面 0.1 cm0.5 cm,并压实。7.3浇水茎段扦插后,立即喷雾浇水 30 min60 min。7.4杀菌茎段扦插浇水后用 50%多菌灵 500800 倍液进行叶面喷雾杀菌。农药的选择应符合 GB/T 8321 的规定。8苗期管理8.1温、光、气管理8.1.1发芽生根初期茎段扦插后 1 d7 d

    8、为茎段腋芽发芽和茎段节间部生根期,温度控制在 25 28,光照 5000Lux8000 Lux,空气相对湿度保持在 90%95%。8.1.2幼苗发育前期茎段扦插后 8 d14 d 为幼苗发育前期,温度控制在 25 32,光照 8000 Lux12000 Lux,空气相对湿度保持在 75%90%。DB3708/T 28202338.1.3幼苗发育中期茎段扦插后 15 d21 d 为幼苗发育中期,温度控制在 25 32,光照 10000 Lux15000 Lux,空气相对湿度保持在 60%75%。8.1.4幼苗发育后期茎段扦插后 22 d28 d 为幼苗发育后期,温度控制在 25 32,光照 12

    9、000 Lux17000 Lux,空气相对湿度保持在 45%60%。8.1.5壮苗培养期茎段扦插后 29 d35 d 为壮苗培养期,温度控制在 18 32,光照 15000 Lux20000 Lux,空气相对湿度保持在 40%55%。8.2水分管理根据脱毒甘薯苗发育情况,每 3 d4 d 喷雾浇一次透水,保持穴盘湿润。灌溉水质要符合 GB 5084的要求。8.3肥料管理茎段扦插 15 d 后,用甘薯专用叶面肥同时添加油菜素内酯 50 mg/L100 mg/L 浓度喷施一次。肥料选用应符合 NY/T 496 的规定。8.4病虫草害防控8.4.1病害防治每 7 d14 d 用 50%多菌灵 500

    10、800 倍液进行叶面喷雾杀菌。农药的选择应符合 GB/T 8321 的规定。8.4.2虫害防治脱毒甘薯日光温室育苗重点是预防蚜虫、粉虱等传毒媒介传播病毒病。首先,温室须配备 23 道门、12 个缓冲间,缓冲间顶部安装风淋吸虫器。在温室通风口以及进出口处用 60 目防虫网封闭。每7 d14 d 温室全方位喷施一次化学杀虫剂,每间隔 2 m23 m2,薯苗上部悬挂一片诱剂粘虫贴;每 50m2100 m2,薯苗上部放置一个诱虫灯。农药的选择应符合 GB/T 8321 的规定。8.4.3杂草防治育苗穴盘、育苗床上杂草采用人工拔除,尽量避免应用化学除草剂,以防高温环境产生药害。8.5通风降温炼苗当室温超

    11、过 32 时,需及时通风降温炼苗,防止植株徒长;采苗前 5 d7 d,每日放风时长 10 h14 h。9脱毒苗扩繁穴盘扦插培养的 3 节以上的甘薯脱毒苗,可以再次用无菌剪刀分剪成带有一个叶片和一个腋芽的茎段,并按照上述 58 的操作技术方法在穴盘中快速扩繁。10商品苗要求DB3708/T 2820234茎叶粗壮,叶片肥厚,颜色深绿,无病样,无虫害,株高 25 cm30 cm,3 节5 节,带顶部 3 片完整展开叶,发育良好。11生产档案对生产过程进行详细记录,建立生产档案并保存,可参照附录 A。DB3708/T 2820235附 录 A(规范性)生产操作记录表生产操作记录表见A.1。表 A.1 生产操作记录表生产单位:温室编号与位置:日期消毒基质配比装盘扦插苗期管理扩繁操作人


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