1、PN8054E Chipown 高性能非隔离交直流转换芯片 高性能非隔离交直流转换芯片 概述概述 PN8054E集成PFM控制器及670V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8054E内置高压启动模块,实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8054E的降频调制技术有助于改善EMI特性。产品特征产品特征 内置670V高雪崩能力智能功率MOSFET内置高压启动电路优化适用于15V输出非隔离应用半封闭式稳态输出功率4.5W 230VAC改善EMI的降频调制技术优异的负载调整率和工作效率全
2、面的保护功能过载保护(OLP)过温保护(OTP)欠压保护(UVLO)应用领域应用领域 非隔离辅助电源封装封装/订购信息订购信息 SOP7GNDGNDVDDSWNCSWNC订购代码订购代码 封装封装 PN8054ESSC-R1 SOP7 典型应用典型应用 AC85265VDC GNDCOMPHV Start BlockGate DriverSUPPLY&UVLOVDDSWPN8054EOUTPUT+-PFMBlockOTP+-GND深圳市骊微电子科技有限公司芯朋微代理商深圳市骊微电子科技有限公司PN8054E Chipown 管脚定义管脚定义 管脚名管脚名 管脚标号管脚标号 管脚功能描述管脚功能
3、描述 GND 1,2 地 VDD 3 芯片电源脚 NC 4,5 空脚(可以接SW高压脚)SW 6,7 高压MOSFET漏极脚 典型功率典型功率产品型号产品型号 输入电压输入电压 稳态功率稳态功率(1)峰值功率峰值功率(2)PN8054E 150-265 VAC4.5W(15V300mA)5.25W(15V350mA)85-265 VAC 3.75W(15V250mA)4.5W(15V300mA)备注:1.稳态功率在半封闭式 75 C 环境下测试(Buck/Buck-boost 应用),持续时间大于 2 小时。2.峰值功率在半封闭式 75 C 环境下测试(Buck/Buck-boost 应用),
4、持续时间大于 1min。功能框图功能框图6/7HVStartupSWSupply&UVLOGate DriverOTPCVSample EA1/2GNDLogic Comp2.5V4VDDOCPRg20VPN8054E深圳市骊微电子科技有限公司芯朋微代理商深圳市骊微电子科技有限公司PN8054E Chipown 封装信息封装信息 SOP7封装外形及尺寸封装外形及尺寸 尺寸尺寸 符号符号 最小最小(mm)正常正常(mm)最大最大(mm)尺寸尺寸 符号符号 最小最小(mm)正常正常(mm)最大最大(mm)A 1.75 D 4.80 4.90 5.00 A1 0.10 0.225 E 5.80 6.
5、00 6.20 A2 1.30 1.40 1.50 E1 3.80 3.90 4.00 A3 0.60 0.65 0.70 c 1.27BSC b 0.39 0.47 h 0.25 0.50 b1 0.38 0.41 0.44 L 0.50 0.80 c 0.20 0.24 L1 1.05REF c1 0.19 0.20 0.21 0 8 表层丝印 封装 PN PN8054E YWWXXXXX SOP7 备注:Y:年份代码;WW:周代码;XXXXX:内部代码备注:1.此制图可以不经通知进行调整;2.器件本体尺寸不含模具飞边。深圳市骊微电子科技有限公司芯朋微代理商深圳市骊微电子科技有限公司PN8
6、054E Chipown 编带及卷轴信息编带及卷轴信息 SOP7 Package A(mm)T(mm)T1(mm)H(mm)C(mm)D(mm)d(mm)A0(mm)B0(mm)K0(mm)330 1.0 3+1/-012.4+1/-0100 0.5 12.00+0.5/-0.217.70 0.40 2.00+0.5/-0.26.60 0.1 5.3 0.1 1.9 0.1 W(mm)F(mm)E1(mm)P0(mm)P1(mm)P2(mm)D0(mm)D1(mm)Pin 1 Quadrant 12.00 0.1 5.50 0.1 1.75 0.10 4.00 0.10 8.0 0.1 2.0 0.1 1.5+0.1/-01.55 0.05 UL 备注:1.此制图可以不经通知进行调整;2.所有尺寸是毫米公制的标称值;3.此制图并非按严格比例,且仅供参考。客户可联系芯朋销售代表获得更多细节;4.此处举例仅供参考。深圳市骊微电子科技有限公司芯朋微代理商深圳市骊微电子科技有限公司