HJ 830-2017 环境空气 颗粒物中机元素的测定 波长色散X射线荧光光谱法.pdf

中中华华人人民民共共和和国国国国家家环环境境保保护护标标准准HJ 830-2017环境空气颗粒物中机元素的测定波长色散 X 射线荧光光谱法Ambient air -Determination of inorganic elements in ambientparticle matter- Wavelength dispersive X-ray fluorescencespectroscopy (WD-XRF) method（发布稿）本电子版为发布稿。请以中国环境出版社出版的正式标准文本为准。2017-05-02发布2017-07-01实施环环境境保保护护部部发布i目次前言.ii1 适用范围.12 规范性引用文件. 13 方法原理.14 干扰和消除.15 试剂和材料.16 仪器和设备.27 样品.28 分析步骤.39 结果计算与表示.310 精密度和准确度.411 质量保证和质量控制.412 注意事项.5附录 A （规范性附录） 方法检出限和测定下限. 7附录 B （资料性附录） 干扰元素校正系数计算示例.8附录 C （资料性附录） WD-XRF 测量条件示例.9附录 D （资料性附录） 方法精密度和方法准确度.16ii前言为贯彻中华人民共和国环境保护法和中华人民共和国大气污染防治法，保护环境， 保障人体健康， 规范环境空气和无组织排放颗粒物中无机元素的测定方法， 制定本标准。本标准规定了测定环境空气和无组织排放颗粒物中无机元素的波长色散 X 射线荧光光谱（WD-XRF）分析方法。本标准为首次发布。本标准附录 A 为规范性附录，附录 B、附录 C 和附录 D 均为资料性附录。本标准由环境保护部环境监测司和科技标准司组织制订。本标准主要起草单位：中日友好环境保护中心（国家环境分析测试中心）。参加本标准验证的单位有：湖南省环境监测中心站、北京市环境保护监测中心、天津市环境监测中心、环境保护部标准样品研究所、布鲁克（北京）科技有限公司、岛津企业管理（中国）有限公司、中国科学院地球环境研究所、上海市环境科学研究院、江苏天瑞仪器股份有限公司、上海思百吉仪器系统有限公司（帕纳科业务部）。本标准环境保护部 2017 年 5 月 2 日批准。本标准自 2017 年 7 月 1 日起实施。本标准由环境保护部解释。1环境空气 颗粒物中无机元素的测定 波长色散X射线荧光光谱法1 适用范围本标准规定了测定环境空气和无组织排放颗粒物中无机元素的波长色散 X 射线荧光光谱法（WD-XRF） 。本标准适用于利用滤膜采集的环境空气和无组织排放颗粒物中钠（Na）、镁（Mg）、铝（Al）、硅（Si）、磷（P）、硫（S）、氯（Cl）、钾（K）、钙（Ca）、钪（Sc）、钛（Ti）、钒（V）、铬（Cr）、锰（Mn）、铁（Fe）、钴（Co）、镍（Ni）、铜（Cu）、锌（Zn）、砷（As）、硒（Se）、锶（Sr）、溴（Br）、镉（Cd）、钡（Ba）、铅（Pb）、锡（Sn）、锑（Sb）等元素的测定。本标准也适用于经方法验证能够达到准确度和精密度要求的其他无机元素。在本标准推荐的各元素特征谱线条件下，方法检出限及测定下限见附录A。2 规范性引用文件本标准引用了下列文件中的条款。 凡是不注明日期的引用文件， 其有效版本适用于本标准。HJ 93环境空气颗粒物（PM10和PM2.5）采样器技术要求及检测方法HJ 664环境空气质量监测点位布设技术规范（试行）HJ/T 55大气污染物无组织排放监测技术导则HJ/T 194环境空气质量手工监测技术规范HJ/T 374总悬浮颗粒物采样器技术要求及检测方法JJG 810波长色散X射线荧光光谱仪3 方法原理X 射线管产生的初级 X 射线照射到平整、均匀的颗粒物样品表面时，被测元素释放出特征 X 射线经晶体分光后，探测器在选择的特征波长相对应 2角处测量 X 射线荧光强度。颗粒物负载量在一定范围内， 采用薄样品分析技术， X 射线荧光强度与被测元素含量成正比。4 干扰和消除铅 L线对砷 K线有明显干扰。可采用干扰元素的校正系数予以消除。校正系数由实验确定，计算示例见附录 B。5 试剂和材料5.1 市售氩气-甲烷混合气体（P10） ，简称氩甲烷气，90%氩气+10%甲烷。5.2 负载在聚酯膜（Mylar film）或聚碳酸酯核孔膜（Nuclepore polycarbonate membranes）上的单元素或化合物标准样品， （0.550）g/cm2，以单元素含量计。2注：负载有元素的薄膜面在支撑环下面的为 A 模式，在支撑环上面的为 B 模式。建议采用 B 模式（参见12.2） 。5.3 负载在聚碳酸酯核孔膜上的混合元素标准样品或模拟 PM2.5标准样品，有证标准物质。5.4 石英滤膜，特氟龙、聚丙烯等有机滤膜。注：用 XRF 测量环境空气颗粒物中无机元素时，特氟龙滤膜比石英滤膜更合适。6 仪器和设备6.1 颗粒物采样器。其性能和技术指标应符合 HJ/T 374 和 HJ 93 的规定。6.2 波长色散 X 射线荧光光谱仪。配备有合适的样品杯。仪器主要检定项目及计量性能应符合国家计量检定规程 JJG 810 中规定的 A 级或 B 级要求。注：样品杯上应有气体通道设计，以避免抽真空时，滤膜测量面上下压力不平衡导致滤膜破损。滤膜在样品杯中应有合适的方式固定。6.3 颗粒物滤膜裁剪圆刀，直径 47mm。或陶瓷剪刀。6.4 镊子（镊子头为非金属材质） 。6.5 带盖样品盒，聚氯乙烯材质，直径 47mm、90mm。6.6 包装用锡纸。6.7 XRF 专用聚丙烯膜（Prolene thin film 4.0 m） 。7 样品7.1 样品采集7.1.1 样品负载量采集在滤膜上的颗粒物负载量原则上不宜超过 100 g/cm2。 负载的颗粒物要均匀分布在直径至少为 30mm 的范围。可以通过控制采样时间调控滤膜上颗粒物负载量。注：颗粒物负载量过多会导致样品基体效应，偏离薄样品假设，影响分析结果的准确性。7.1.2 环境空气颗粒物样品环境空气采样点的设置应符合HJ 664相关要求。采样过程按照HJ/T 194中颗粒物采样的要求执行。当目标元素含量较低或采集PM10（或PM2.5）样品时，可适当增加采样体积。采样时应详细记录采样环境条件。7.1.3 无组织排放颗粒物样品无组织排放颗粒物样品采集按照HJ/T 55中相关要求设置监测点位，其它同环境空气样品采集要求。7.2 样品保存采样结束后，用镊子将滤膜取出，放入干燥洁净、已编号的样品盒（6.5）中。大流量采样器采集的石英滤膜样品可对折后用包装用锡纸（6.6）包好，并按采样要求做好记录。样品在干燥、洁净、室温环境下于硅胶干燥器中保存。7.3 样品处理3小流量采样器采集的颗粒物样品可直接放入样品杯。 大、中流量采样器采集的石英滤膜颗粒物样品需用直径为47mm圆刀或陶瓷剪刀（6.3）裁剪成直径为47 mm 的滤膜圆片，待测。上述操作应避免样品测量面被沾污。8 分析步骤8.1 仪器测量条件参照仪器操作手册建立测量方法。 从数据库中选择目标元素测量谱线并校正。 参照仪器厂商提供的数据库选择最佳工作条件，主要包括 X 射线管电压和电流、元素的分析谱线及背景点、分光晶体、准直器、探测器、脉冲高度分布（PHA 或 PHD）和滤光片。分析谱线和背景测量时间可根据实际需要调整。仪器参考测量条件示例见附录 C。8.2 校准样品测量根据仪器操作手册， 在仪器软件相关界面上建立标准样品数据表。 输入空白薄膜和薄膜标准样品（5.2）中各元素的标准值。按照优化后的测量条件（8.1）测量上述系列标准样品。薄膜标准样品的个数根据实验室条件，可在 24 个之间选取（不包括空白滤膜），标样含量大致范围如下：0.52 g/cm2、38 g/cm2、1525 g/cm2、4060 g/cm2。根据所用仪器提供的线性回归校正模型和程序对系列薄膜标样含量和强度进行回归分析，建立校准曲线，求出回归方程斜率并存储于计算机中。必要时，每次更换氩甲烷气体（5.1）后应重新进行 PHA 调整，核查测量条件。采用流气正比计数器作为检测器的相关元素（如 Al、Si 等）标准样品应重新测量其强度进行核查。必要时应更新校准曲线，也可以使用漂移校正样品进行校准（11.1）。8.3 样品测量按照与标准样品相同的测量条件（8.1）测量空白滤膜和样品滤膜。根据样品滤膜和空白滤膜中目标元素特征峰强度测量值，校准曲线斜率计算样品滤膜元素含量。9 结果计算与表示9.1 结果计算颗粒物样品中元素含量按式（1）计算：VbAII)(0.（1）式中:A 滤膜上负载有颗粒物的面积（cm2）；I样品滤膜中目标元素 X 射线荧光强度（kcps）；I0空白滤膜中目标元素 X 射线荧光强度（kcps）；b校准曲线斜率 kcps/(g/cm2)；V 标准状态下（273 K，101.325 Pa）采样体积（m3）；颗粒物样品中目标元素含量（g/m3）。4元素砷的计算结果应按附录 B 的方法扣除元素铅的干扰。9.2 结果表示各元素测量结果小数点后的数字保留位数与方法检出限保持一致，测试结果最多保留 3位有效数字。颗粒物样品检测结果也可以直接用g/cm2表示。10 精密度和准确度10家实验室对统一提供的大气颗粒物标样、滤膜质控样品、具有不同颗粒物负载量的3个TSP样品（石英滤膜）、3个PM2.5样品（聚丙烯滤膜）、2个无组织排放颗粒物样品（石英滤膜），用X-射线荧光光谱法测量。对测定结果进行数理统计，得到方法精密度（包括各元素测定值的实验室内相对标准偏差范围、实验室间相对标准偏差、重复性限和再现性限）和方法准确度（各元素测定值的相对误差范围和相对误差最终值），详见附录D。11 质量保证和质量控制11.1 漂移校正仪器状态的变化会导致测量结果的偏离。 为了对仪器漂移进行监控及校正， 必要时在分析测量实际样品前，可使用仪器厂商提供的标准样品选择主要目标元素对仪器进行漂移校正。校正的间隔时间可根据仪器的稳定性确定。漂移校正样品的测量，应在同一批次样品测量周期内完成。漂移校正样品的第一次测量，应与利用校准样品（8.2）建立校准曲线时同一测量周期内完成。漂移校正样品元素强度测量值（计数率，cps）应大于 1000。11.2 滤膜空白每批样品应至少分析两个与采样用滤膜同批次空白滤膜试样。 用于采集无组织排放颗粒物的滤膜空白试样中目标元素测定值不得大于目标重金属排放标准限值的十分之一。否则，可考虑适当增加采样量， 使颗粒物中目标元素测定值明显高于滤膜空白值。 用于采集环境空气颗粒物的空白滤膜中目标元素测定值应小于方法测定下限。11.3 校准曲线每批样品测定前应核对校准曲线。 以接近校准曲线中间含量的实验室质控样 （或不同来源滤膜标样）进行分析确认时，其相对误差应满足表 1 要求。否则，应查明原因，重新建立校准曲线。表 1 质控样品中各元素实验室内测试准确度要求元 素相对误差范围（%）Al、Si、K、Ca、Cr、Mn、Cu、Se、Sr、Ti、Fe、Ni、Zn、Co、Ba、Pb、Cl-1010Na、Mg、As、Cd、Sn、Sb、S、P、V、Sc、Br-202011.4 精密度如果颗粒物滤膜样品可重复测定（如石英滤膜样品、聚丙烯滤膜样品），每批样品应抽取 10的样品进行重复测定。样品数量少于 10 个时，应至少测定 1 个样品。当元素含量高5于测定下限时，平行样测试结果相对偏差应满足表 2 要求。表 2各元素平行测定精密度要求元 素相对偏差（%）Al、P、S、K、Ca、Zn5Mg、Si、Cl、Ti、Ni、Cr、Mn、Fe、Cu、Pb、As10Na、Co、Se、Sr、Cd、Sn、Sb、Sc、V、Br、Ba2011.5 准确度使用本方法标准时应通过分析薄膜标准样品进行方法验证。 如果测量值误差超过允许范围，则停止分析样品，查找原因。有条件时，也可采用有证颗粒物标准样品进行验证。验证结果满足要求以后， 才能继续进行分析。 以后分析测定每批实际样品时可同时分析实验室质控样品（或不同来源滤膜标样），当元素含量高于测定下限时，实验室质控样品室内测试准确度应达到表 1 要求。对混合元素薄膜标准样品（含 Al、Si、Fe、Pb、Cu、Zn、Ni、Mn、Cr 等元素）的测定可在样品测量前或全部样品完成测量后进行。 其测定值与标准示值的相对误差绝对值应小于10%。此标样和实验室质控样系列测定值均可用于绘制质控图并计算期间精密度。期间精密度数值乘以 2 可用于评估测量结果不确定度。如果实验室条件所限，可以考虑采用仪器厂家提供的标准样品进行验证。12 注意事项12.1 实验条件各元素对应于最大计数的色散角和脉冲高度分布是重点监控的测试参数。 应定期通过对标样的定性扫描，检查这两个参数有无变化。日常分析中，应经常测量实验室质控样中主要目标元素 X-射线特征峰强度值，如有明显变化，则需检查元素的色散角和脉冲高度分布。每次更换氩甲烷气体瓶后，建议复查与流气正比计数器有关的 Na、Mg、Al、Si、Cl、S 等元素 PHA 高低限，并调整到合适位置。12.2 实验操作特氟龙滤膜在 WD-XRF 测定过程中，受 X 射线照射时容易产生裂纹，甚至破损。建议在满足测定要求前提下，降低 X 光管功率并尽量减少照射时间，控制测量时间在 20min 以内。对于下照式仪器，为了保证特氟龙样品膜的完整，可以考虑在其滤膜样品表面覆盖一层XRF 专用聚丙烯膜（6.7）。这样，即使特氟龙膜破裂也不会掉入样品室，影响下面的铍窗。如果在测定样品时有上述措施， 建立校准曲线测定标准样品强度时需采取上述同样措施， 两者测量条件应保持一致。薄膜标样根据支撑环的位置有两种模式可以选择。 建议选择与实际样品测量面保持一致的模式，即 B 模式（5.2 注）。如果薄膜标样是 A 模式，应在实际滤膜样品表面上放一个与6薄膜标样支撑环厚度一致的圆环。 如果仪器为下照式， 在样品杯上放入圆环后再放入滤膜样品，测量面向下；如果仪器为上照式，则在样品杯上先放入滤膜样品，测量面朝上，再放入圆环后固定，使实际样品与薄膜标样受 X 射线照射的距离保持一致。7附录 A（规范性附录）方法检出限和测定下限A.1各元素谱线及方法检出限和测定下限元素分析线石英滤膜聚丙烯滤膜检出限测定下限检出限测定下限g/cm2g/m3g/cm2g/m3g/cm2g/m3g/cm2g/m3NaK0.0720.0520.290.210.0130.0090.0520.038MgK0.0070.0050.0280.0200.0050.0040.0200.014AlK0.0090.0070.0360.0260.0110.0080.0440.032SiK0.0360.0260.140.10PK0.0070.0050.0280.0210.0080.0060.0320.023SK0.0390.0280.160.110.0720.0520.290.21ClK0.0600.0430.240.170.0240.0170.0960.069KK0.0080.0060.0320.0230.0340.0250.140.098CaK0.0210.0150.0850.0620.0540.0390.220.16ScK0.0170.0120.0670.0480.0390.0280.160.11TiK0.0330.0240.130.0950.0360.0260.140.10VK0.0490.0350.200.140.0410.0300.160.12CrK0.0190.0140.0760.0550.0260.0190.100.075MnK0.0380.0270.150.110.0310.0220.120.090FeK0.0310.0230.130.0910.0900.0650.360.26CoK0.0120.0090.0480.0340.0100.0070.0400.029NiK0.0520.0380.210.150.0120.0090.0480.035CuK0.0310.0220.120.0890.0190.0140.0760.055ZnK0.0300.0220.120.0880.0150.0110.0600.043AsK0.0270.0200.110.0780.0140.0100.0560.040SeK0.0380.0270.150.110.0160.0120.0640.046BrK0.0450.0320.180.130.0420.0300.170.12SrK0.0360.0260.140.100.0570.0410.230.16CdL0.0900.0650.360.260.0440.0320.180.13BaL0.140.100.560.400.0870.0630.350.25PbL10.0930.0670.370.270.0840.0610.340.24SnL0.0520.0380.210.150.0640.0460.260.19SbL0.0810.0590.330.240.0520.0380.210.15注：以g/m3表示的数据按滤膜上负载有颗粒物的圆直径为 47mm、采样体积为 24m3计算。8附录 B（资料性附录）干扰元素校正系数计算示例干扰元素的校正系数由实验确定。Pb（L）对 As（K）的干扰校正实验方案及校正系数计算公式如下：用铅标样分别在测定 As（K）条件下测量 Pb L谱线强度，在测定 Pb 的条件下测定 PbL谱线强度。假设其测量值分别为 17.930 kcps 和 18.323 kcps，则 Pb（L）对 As（K）的干扰校正系数 b 计算公式及数值如下：9786. 0323.18930.17bPbLPLIIb（B.1）设 As 标准曲线斜率为 1.543， 实际颗粒物样品中 As 的 K线强度测量值为 I1， Pb 的 L线强度测量值为 I2，则 As 元素含量计算公式如下：543. 19786. 0)/g21212AsIIaIbIcm（B.2）如果实验室有不同含量的 Pb 标样，可按上述方式分别测定其干扰校正系数，取其平均值代入上述公式计算。9附录 C（资料性附录）WD-XRF 测量条件示例表 C.1WD-XRF 测量条件示例 1元素分析线滤光片分析晶体2/（）计数时间/s探测器PHA衰减器峰位背景 1背景 2峰位 背景 1 背景 2NaKTAP55.15040PC1203401/1MgKTAP45.15040PC1203401/1AlKPET144.85040PC1003001/1SiKPET109.105111.6804010PC1003001/1SKGe110.87040PC1003001/1PKGe141.280143.2803010PC1003001/1ClKGe92.91591.36594.860402020PC1003001/1KKGe70.00068.55071.660301010PC1003001/1CaKGe62.03060.60063.600301010PC100,3001/1ScKGe55.42054.0003010PC1003001/1TiKLiF20086.12085.54086.860401010SC903801/1VKLiF20076.92576.23077.670301010SC803801/1CrKLiF20069.32568.67070.050301010SC803601/1MnKLiF20062.96563.6552010SC853681/1FeKLiF20057.52056.80058.200201010SC803501/1CoKLiF20052.79053.3503010SC1003401/1NiKLiF20048.66048.00049.300201010SC803501/1CuKLiF20045.02544.08046.180201010SC803501/1ZnKLiF20041.80041.08042.580201010SC903301/1AsKLiF20033.98033.35035.540201010SC1003001/1SeKLiF20031.88531.30032.500201010SC1003001/1BrKLiF20029.96529.45030.500201010SC1003001/1SrKLiF20025.16024.50026.000201010SC1003001/1CdLF-AlGe74.70073.00076.300402020PC1003001/1SnLGe67.01568.6002010PC1003001/1SbLGe63.69065.3002010PC1003001/1BaLLiF20087.15586.15088.100201010SC803801/1PbLLiF20028.25027.62528.725402020SC1003001/1注：X 射线管电压为 50kV，电流为 50mA，粗狭缝，视野光阑直径为 30mm，采用 Rh 靶; F-Al 为铝滤光片；PC 为正比计数管；SC 为闪烁计数管。10表 C.2WD-XRF 测量条件示例 2元素X 射线管电压/电流(kV/mA)滤光片(Al,m)分析线分光晶体2/（）测量时间 （秒）探测器峰位背景 1背景 2峰值背景Na27/111KOVO-5525.20423.1622010PCMg27/111KOVO-5520.80823.3902010PCAl27/111KPET144.554 147.88216PCSi27/111KPET108.984 111.951126PCP27/111KPET89.41092.539126PCS27/111KPET75.72879.598126PCK27/111KLiF200136.635 141.200126PCCa50/60KLiF200113.098 108.001126PCSc50/60KLiF20097.71394.4932010PCTi50/6012.5KLiF20086.14282.500168PCV50/6012.5KLiF20076.93874.5002010PCCr50/60100KLiF20069.33666.5002010SCMn60/50100KLiF20062.97466.500168SCFe60/50200KLiF20057.51154.50059.750126SCCo60/50200KLiF20052.78454.5002010SCNi60/50200KLiF20048.63346.95054.5002010SCCu60/50200KLiF20045.01446.9502010SCZn60/50200KLiF20041.78039.80046.950168SCAs60/50500KLiF20033.99131.20039.8002010SCSe60/50500KLiF20031.88331.20032.7502010SCCd60/5012.5LPET53.78054.9202016FPCSn27/111LLiF200126.738 125.0142010FPCBa50/6012.5LLiF20087.18582.500168FPCPb50/60500LLiF20028.22826.10030.9002010SC11表 C.3WD-XRF 测量条件示例 3元素及谱线X 射线管电压/电流(kV/mA)滤光片(Al,m)准直器（m）分光晶体2/（）测量时间（秒）探测器 D.T.PHA峰位背景峰位背景Na K30/1000.23XS-5525.12323.3913010PC30050150Mg K30/1000.23XS-5520.83523.3903010PC30040160Al K30/1000.46PET144.602147.8823010PC30050150Si K30/1000.46PET108.998111.9513010PC30050150P K30/1000.46PET89.43192.5393010PC30050150S K30/1000.46PET75.73579.5983010PC30050150Cl K30/1000.23PET65.42966.6203010PC30050150K K50/600.46LiF200136.647141.203010PC30050150Ca K50/600.46LiF200113.138108.0013010PC30050150Sc K50/600.23LiF20097.71394.4903010PC30050150Ti K50/600.23LiF20086.15282.5003010PC30050150V K50/600.23LiF20076.93874.5003010PC30050150Cr K60/501000.23LiF20069.34366.5003010SC52050150Mn K60/501000.23LiF20062.97266.5003010SC52050150Fe K60/502000.23LiF20057.52554.5003010SC52050150Co K60/502000.23LiF20052.79154.5003010SC52050150Ni K60/502000.23LiF20048.67050.1453010SC52050150Cu K60/502000.46LiF20045.04846.9503010SC52050150Zn K60/502000.46LiF20041.817 39.800; 46.9503010SC52050150As K60/505000.23LiF20034.003 31.100; 39.8003010SC52050150Se K60/505000.23LiF20031.88931.2003010SC52050150Br K60/505000.23LiF20029.96931.0003010SC52050150Sr K60/505000.23LiF20025.14926.0003010SC52050150Ag L50/60120.23PET56.71954.9203010PC30050150Cd L50/60120.23PET53.77954.9203010PC30050150Sn L50/600.23LiF200126.758124.6703010PC30050150Sb L50/600.23LiF200117.327124.6703010PC30050150Ba L50/600.23LiF20087.16282.5003010PC30050150Pb L60/505000.23LiF20028.250 26.100; 30.9003010SC5205015012表 C.4WD-XRF 测量条件示例 4元素及谱线X 射线管电压/电流(kV/mA)滤光片(Al,m)准直器分光晶体2/（）测量时间(秒)探测器 D.T.PHA峰位背景峰位背景Na K30/1000.23XS-5524.88323.1772010PC30050150Mg K30/1000.23XS-5520.65723.1762010PC30040160Al K30/1000.46PET144.602147.882168PC30040250Si K30/1000.46PET108.998111.951104PC30040250P K30/1000.46PET89.43192.5392010PC30050150S K30/1000.46PET75.72279.598104PC30040250Cl K30/1000.23PET65.44666.6202010PC30050150K K50/600.46LiF200 136.647141.2002010PC30050150Ca K50/600.46LiF200 113.110108.00162PC30040250Ti K50/600.23LiF20086.14282.5002010PC30050150V K50/600.23LiF20076.93678.1362010PC30050150Cr K60/501000.23LiF20069.35166.5002010SC52050150Mn K60/501000.23LiF20062.97366.5002010SC52050150Fe K60/502000.23LiF20057.52954.500104SC52050150Co K60/502000.23LiF20052.79954.5002010SC52050150Ni K60/502000.23LiF20048.66850.1452010SC52050150Cu K60/502000.46LiF20045.04846.9502010SC52050150Zn K60/502000.46LiF20041.817 39.800;46.9502010SC52050150Ga K60/502000.46LiF20038.91539.9362010SC52050150As K60/505000.23LiF20034.003 31.100;39.8002010SC52050150Se K60/505000.23LiF20031.89031.2002010SC52050150Sr K60/505000.23LiF20025.15126.0002010SC52050150Cd L50/60120.23PET53.78954.9202010PC30050150Sn L50/600.23LiF200 126.745124.6702010PC30050150Sb L50/600.23LiF200 117.327124.6702010PC30050150Ba L50/600.23LiF20087.16282.5002010PC30050150Pb L60/605000.23LiF20028.265 26.011;31.1722010SC5205015013表 C.5WD-XRF 测量条件示例 5元素及谱线X 射线管电压/电流(kV/mA)滤光片(Al,m)准直器(m)分光晶体2/（）测量时间(秒)探测器PHD峰位背景峰位背景Na K24/100550PX127.7720-1.52702010Flow2575Mg K24/100550PX122.93702.19482010Flow2575Al K24/100550PE002144.7928 -4.45002010Flow2574Si K24/100550PE002108.98102.23322010Flow2575P K24/100550Ge111-C 140.95401.86582010Flow2575S K24/100550Ge111-C 110.62181.84422010Flow3070Cl K24/100550Ge111-C92.74901.84062010Flow3070K K24/60150PX10136.7120 -2.91202010Flow3070Ca K24/60150PX10113.11702.91382010Flow3070Ti K40/60150PX1086.1456-0.88942010Flow3566V K50/48150PX1076.9290-0.73502010Duplex3070Cr K50/48200150PX1069.3464-1.41182010Duplex3070Mn K60/40150PX1062.9786-0.83282010Duplex1370Fe K60/40200150PX1057.5170-0.95022010Duplex1366Co K60/40200150PX1052.7958-0.87722010Duplex1665Ni K60/40200150PX1048.6516-0.92102010Duplex2066Cu K60/40200150PX1045.0198-0.91582010Duplex2065Zn K60/40200150PX1041.7934-0.87922010Duplex2169As K60/40750150PX1033.9764-1.16762010Hiper Scir 2575Sr K60/40750150PX1025.11920.85122010Hiper Scir 2575Ba L40/60150PX1087.5182-1.05662010Flow3466Pb L60/40750150PX1028.22781.92102010Hiper Scir 257514表 C.6WD-XRF 测量条件示例 6元素及谱线X 射线管电压/电流(kV/mA)滤光片(Al,m)准直器分光晶体2/（）测量时间(秒)探测器PHD峰位背景峰位背景类型高压Na K30/60粗XS5524.3923.202010PC17604861764Mg K30/60粗XS5520.1521.002010PC17404571764Al K30/60粗PET002 145.05 143.602010PC17403721830Si K30/60粗PET002 109.20 110.802010PC17403441727P K30/60粗Ge111141.03 139.902010PC17404481934S K30/60粗Ge111110.68 112.302010PC17005991698Cl K30/60粗Ge11192.7593.502010PC17009291656K K50/40细LiF200136.72 135.802010PC16705141637Ca K50/40细LiF200113.13 112.402010PC16706981689Ti K50/40细LiF20086.2086.802010PC16406131580V K50/40细LiF20076.9476.222010PC16206931519Cr K60/35细LiF20069.3270.002010SC6403201538Mn K60/35细LiF20062.9362.602010SC6403251519Fe K60/35细LiF20062.9358.102010SC6404051679Co K60/35细LiF20062.9353.302010SC6203391505Ni K60/35细LiF20048.6849.102010SC6203061486Cu K60/35细LiF20045.0445.602010SC6203251613Zn K60/35细LiF20041.7642.202010SC6203721684As K60/35750细LiF20033.9133.402010SC6004951580Sr K60/35750细LiF20025.1125.602010SC5804811670Ba L50/40细LiF20087.1788.102010SC16709531873Pb L60/35750细LiF20028.2128.802010SC580457146215表 C.7WD-XRF 测量条件示例 7元素及谱线X 射线管电压/电流(kV/mA)滤光片(m)分光晶体2/（）测量时间(秒)探测器峰位背景峰位背景Na K20/70TAP55.3540F-PCMg K20/70TAP45.3040F-PCAl K20/70PET144.8040F-PCSi K20/70PET109.1040F-PCS K20/70Ge110.6040F-PCCl K20/70Ge92.8040F-PCK K20/70Ge69.9040F-PCCa K20/70Ge61.9540F-PCSc K30/70Ge55.3540F-PCTi K30/70LiF86.1585.544020SCV K30/70LiF76.9276.434020SCCr K30/70F-TiLiF69.3668.934020SCMn K30/70Li