SVG042R1NL5 耐压40V的MOS管-士兰微代理_骊微电子.pdf

士兰微电子 SVG042R1NL5 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.1 http: / 共 9 页 第 1 页 129A、40V N沟道增强型场效应管 描述 SVG042R1NL5 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采用士兰的 LVMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。 特点 129A，40V，RDS(on)（典型值）=1.6mVGS=10V 低栅极电荷 低反向传输电容 开关速度快 提升了 dv/dt 能力 100%雪崩测试 无铅管脚镀层 符合 RoHS 环保标准 关键特性参数 参数 参数值 单位 VDS 40 V VGS(th) 1.42.4 V RDS(on),max 2.1 m ID 129 A Qg.typ 43 nC PDFN-8-5X6X0.95-1.2712348765SSSGDDDD3112348765248765 产品规格分类 产品名称 封装形式 打印名称 环保等级 包装方式 SVG042R1NL5TR PDFN-8-5X6X0.95-1.27 042R1NL5 无卤 编带 士兰微电子 SVG042R1NL5 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.1 http: / 共 9 页 第 2 页 极限参数（除非特殊说明，TJ=25C） 参数 符号 测试条件 参数值 单位 最小值 典型值 最大值 漏源电压 VDS - 40 - - V 栅源电压 VGS - -20 - 20 V 漏极电流 （注 1） ID TC=25C - - 129 A TC=100C - - 81 漏极脉冲电流 （注 2） IDM TC=25C - - 516 A 耗散功率 （注 3） PD TC=25C - - 93 W 单脉冲雪崩能量 EAS L=0.1mH，VDD=32V，RG=25， 开始温度TJ=25C - - 105 mJ 单脉冲雪崩电流 IAS - - - 46 A 工作结温范围 TJ - -55 - 150 C 贮存温度范围 Tstg - -55 - 150 C 热特性 参数 符号 测试条件 参数值 单位 最小值 典型值 最大值 芯片对表面热阻，底部 RJC - - - 1.35 C/W 芯片对环境的热阻 RJA - - - 50 C/W 焊接温度（SMD） Tsold 回流焊：101 sec，3times 波峰焊：20-10sec，1time - - 260 C 士兰微电子 SVG042R1NL5 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.1 http: / 共 9 页 第 3 页 电气参数（除非特殊说明，TJ=25C） 静态参数静态参数 参数 符号 测试条件 参数值 单位 最小值 典型值 最大值 漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V，ID=250A 40 - - V 漏源漏电流 IDSS VDS=40V，VGS=0V，TJ=25 C - - 1.0 A VDS=40V，VGS=0V，TJ=125 C - 1.0 - 栅源漏电流 IGSS VGS= 20V，VDS=0V - - 100 nA 栅极开启电压 VGS(th) VGS=VDS，ID=250A 1.4 - 2.4 V 导通电阻 RDS(on) VGS=10V，ID=50A - 1.6 2.1 m 栅极电阻 Rg f=1MHz - 1.1 - 动态参数动态参数 参数 符号 测试条件 参数值 单位 最小值 典型值 最大值 输入电容 Ciss f=1MHz，VGS=0V，VDS=25V - 2614 - pF 输出电容 Coss - 928 - 反向传输电容 Crss - 42 - 开启延迟时间 td(on) VDD=20V， VGS=10V， RG=4.7， ID=50A （注 4，5） - 11 - ns 开启上升时间 tr - 57 - 关断延迟时间 td(off) - 42 - 关断下降时间 tf - 12 - 栅极电荷量 Qg VDD=20V，VGS=10V，ID=50A （注 4，5） - 43 - nC 栅极-源极电荷量 Qgs - 13 - 栅极-漏极电荷量 Qgd - 6.4 - 栅极-平台电压 Vplateau - 4.6 - V 反向反向二极管特性参数二极管特性参数 参数 符号 测试条件 参数值 单位 最小值 典型值 最大值 连续二极管正向电流 IS MOS 管中源极、漏极构成的反偏 P-N结 - - 129 A 二极管脉冲电流 IS,pulse - - 516 源-漏二极管压降 VSD IS=50A，VGS=0V - - 1.4 V 反向恢复时间 Trr IS=25A，VGS=0V，VR=20V dIF/dt=100A/s （注 4） - 47 - ns 反向恢复电荷 Qrr - 45 - nC 注：注： 1. 额定值仅指说明书中25度壳温下的最大绝对值，若壳温高于25度，需根据实际环境条件降额； 2. 脉冲时间5s，脉冲宽度受限于最大结温； 3. 耗散功率值会随着温度变化而变化，当大于25C时耗散功率值随着温度每上升1度减少0.74W/C； 4. 脉冲测试：脉冲宽度300s，占空比2%； 5. 基本上不受工作温度的影响。 士兰微电子 SVG042R1NL5 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.1 http: / 共 9 页 第 4 页 典型特性曲线 图 1. 输出特性漏极电流 - ID (A)漏源电压 - VDS(V)图 2. 传输特性栅源电压 - VGS (V)漏极电流 - ID (A)漏极电流 - ID (A)漏源导通电阻 - RDSON (m)图 3. 导通电阻 vs. 漏极电流栅源电压 - VGS (V)漏源导通电阻 - RDSON (m)图 4. 导通电阻 vs. 栅源电压图 5. 开启电压 vs. 温度特性栅源开启电压- VGS(th) (V)结温 - TJ( C)反向漏极电流 - IDR(A)源漏电压 - VSD (V)图 6. 体二极管正向压降 vs. 源极电流和温度0123-100-50050100150200注：ID=250A0.111010010000.00.20.40.60.81.01.21.4-55 C25 C150 C注：1. VGS=0V2. 250s脉冲测试040801201602000.00.40.81.21.62.0注：1.250s 脉冲测试2.TJ=25 CVGS=3.0VVGS=3.5VVGS=3.3VVGS=4.0VVGS=4.5VVGS=5.0VVGS=10V0.111010010001.01.52.02.53.03.54.0注：1.250s 脉冲测试2.VDS=5V-55 C25 C150 C01234020406080100VGS=10VVGS=8.0VVGS=4.5V注：TJ=25 C123456246810TJ=150 CTJ=25 C注：ID=50A 士兰微电子 SVG042R1NL5 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.1 http: / 共 9 页 第 5 页 典型特性曲线（续） 图7. 电容特性电容 (pF)漏源电压 - VDS(V)栅源电压 - VGS(V)总栅极电荷 - QG (nC)图 8. 电荷量特性漏源击穿电压 (标准化) BVDSS图 9. 击穿电压 vs. 温度特性结温 - TJ( C)结温 - TJ( C)漏源导通电阻 (标准化) - RDS(ON)图 10. 导通电阻 vs. 温度特性耗散功率 PD(W)图 12. 耗散功率 vs. 温度温度 - TC( C)漏极电流ID (A)漏源电压 VDS (V)图 11. 最大安全工作区域0.80.91.01.11.2-100-50050100150200注：1. VGS=0V2. ID=250uA0.00.51.01.52.02.5-100-50050100150200注：1. VGS=10V2. ID=50A10-102468101201020304050注： ID=50AVDS=32VVDS=20VVDS=8.0V10010-210010310-1注：1.ID=f(VDS);TC=25 C；2.单脉冲101102102101此区域工作受限于RDS(ON)100s10s1ms10msDC02040608010005010015020010100100010000010203040CissCrssCoss注：1. VGS=0V2. f=1MHzCiss=Cgs+Cgd(Cds=shorted)Coss=Cds+CgdCrss=Cgd 士兰微电子 SVG042R1NL5 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.1 http: / 共 9 页 第 6 页 典型特性曲线（续） 图13. 漏极电流 vs. 壳温漏极电流ID(A)壳温 TC( C)热阻抗-（标准化）脉冲宽度tp(S)图14.瞬态热阻抗 vs. 脉冲宽度10-310-6017510010-110-110-310-410-250%30%10%5%10-210-5Single Pulse0.2%0.5%1%2%70%注：D=tp/T204060801001201400255075100125150 士兰微电子 SVG042R1NL5 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.1 http: / 共 9 页 第 7 页 典型测试电路 与待测器件参数一致待测器件VGSIgVDSVGS10VChargeQgQgsQgd 栅极电荷量测试电路及波形图开关时间测试电路及波形图VDSVGSRGRLVDDVGSVDSVGS10%90%td(on)tontrtd(off)tofftfEAS测试电路及波形图VDSRGVDDVGSLtpIDBVDSSIASVDDtpTimeVDS(t)ID(t)EAS =12LIAS2BVDSSBVDSSVDD待测器件待测器件Vgs(th)Qg(th) 士兰微电子 SVG042R1NL5 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.1 http: / 共 9 页 第 8 页 封装外形图 PDFN-8-5X6X0.95-1.27 单位：毫米 L1DEE1AcHTop ViewSide ViewBottom View 4185E4bLeKD11458 bKe1.270.1540.900.3546.065.66SYMBOLAcDEE1MINNOMMAX1.200.255.404.801.30D1E4L1H3.764.305.906.350.300.551.101.501.071.370.603.343.920.300.710.12L0.400.71MILLIMETER 重要注意事项重要注意事项： 1. 士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知。士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知。 2. 客户在下单前应获取我司最新版本资料，并验证相关信息是否最新和完整。产品应用前请仔细阅读说明书，包客户在下单前应获取我司最新版本资料，并验证相关信息是否最新和完整。产品应用前请仔细阅读说明书，包括其中的电路操括其中的电路操作注意事项。作注意事项。 3. 我司产品属于消费类电子产品或其他民用类电子产品。我司产品属于消费类电子产品或其他民用类电子产品。 4. 在应用我司产品时请不要超过产品的最大额定值，否则会影响整机的可靠性。任何半导体产品特定条件下都有在应用我司产品时请不要超过产品的最大额定值，否则会影响整机的可靠性。任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用我司产品进行系统设计、试样和整机制造时遵守安全标准并一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用我司产品进行系统设计、试样和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生。采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生。 5. 购买产品时请认清我司商标，如有疑问请与本公司联系。购买产品时请认清我司商标，如有疑问请与本公司联系。 6. 产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！ 7. 我司网站我司网站 http: / 士兰微电子 SVG042R1NL5 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.1 http: / 共 9 页 第 9 页 产品名称： SVG042R1NL5 文档类型： 说明书 版 权： 杭州士兰微电子股份有限公司 公司主页： http: / 版 本： 1.1 修改记录： 1. 芯片更新，更新相关参数和曲线 版 本： 1.0 修改记录： 1. 正式版本发布