YD∕T 3830.1-2021 200Gb∕s相位调制光收发合一模块 第1部分：DP-QPSK(通信).pdf

ICS 33.180.01 M 33 YD 中华人民共和国通信行业标准 YD/T XXXX.1201X 200Gb/s 相位调制光收发合一模块 第 1 部分：DP-QPSK 200Gb/s phase modulation transceiver modulePart 1:DP-QPSK （报批稿） 201X - XX - XX 发布 201X - XX - XX 实施 中华人民共和国工业和信息化部发 布 YD/T XXXX.1-201X I目次 前言 .III 1 范围 .1 2 规范性引用文件 .1 3 术语和定义 .2 4 缩略语 .2 5 分类和功能框图 .3 5.1 分类 .3 5.2 功能框图 .3 6 技术要求 .3 6.1 光纤类型 .3 6.2 封装形式 .3 6.3 极限条件 .4 6.4 推荐工作条件 .4 6.5 光接口要求 .5 6.6 功能要求 .5 6.7 电接口要求 .5 6.8 外观要求 .8 6.9 环保符合性 .8 7 测试方法 .8 7.1 测试环境要求 .8 7.2 测试仪器要求 .8 7.3 中心频率及中心频率稳定度的测试 .8 7.4 平均输出光功率及输出功率稳定度的测试 .8 7.5 误差矢量幅度的测试 .8 7.6 接收机反射系数的测试 .9 7.7 接收光功率范围的测试 .9 7.8 色散容限的测试 .9 7.9 DGD 容限的测试 .9 7.10 OSNR 容限的测试 .9 8 可靠性试验 .9 8.1 可靠性试验环境要求 .9 8.2 可靠性试验要求 .9 8.3 失效判据 .10 9 电磁兼容试验要求 .11 9.1 电磁兼容试验要求 .11 9.2 射频电磁场辐射发射试验限值 .11 9.3 失效判据 .12 10 检验规则 .12 YD/T XXXX.1-202X II10.1 检验分类 .12 10.2 出厂检验 .12 10.3 型式检验和电磁兼容试验 .13 11 标志、包装、运输和贮存 .14 11.1 标志 .14 11.2 包装 .14 11.3 运输 .14 11.4 贮存 .14 附录A （资料性附录） 机械尺寸 .15 附录B （规范性附录） 引脚定义 .18 附录C （资料性附录） 光模块状态转换流程 .36 YD/T XXXX.1202XIII前言 YD/T XXXX200Gb/s相位调制光收发合一模块计划发布以下部分： 第1部分：DP-QPSK； 第2部分：DP-8QAM； 第3部分：DP-16QAM； 。 本部分为YD/T XXXX的第1部分。 本部分按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。 本部分主要参考了ITU-T G.698.2含光放大器的多通道DWDM应用的单通道接口 、IEC/TR 61282-10光纤通信系统设计指南 第10部分：用误差矢量幅度表征光矢量调制信号的质量及相关的光收发合一模块行业标准等文件编制。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本部分由中国通信标准化协会提出并归口。 本部分起草单位 ： 中国信息通信研究院、 中兴通讯股份有限公司、 中国信息通信科技集团有限公司、深圳新飞通光电子技术有限公司、武汉华工正源光子技术有限公司、中国联合网络通信集团有限公司。 本部分主要起草人：吴冰冰、刘璐、武成宾、梅君瑶、赵文玉、宋梦洋、马广鹏、汤彪、沈世奎。 YD/T XXXX.1202X1200Gb/s 相位调制光收发合一模块 第 1 部分：DP-QPSK 1范围 本部分规定了采用DP-QPSK（也称PM-QPSK） 调制码型的200Gb/s相位调制光收发合一模块（以下简称为光模块） 的技术要求、测试方法、可靠性试验、电磁兼容试验、检验规则、标志、包装、运输和贮存要求。 本部分适用于200Gb/s DP-QPSK相位调制的光模块。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。 凡是注日期的引用文件， 仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于文件。 GB/T 191 包装储运图示标志 GB/T 2828.1 计数抽样检查程序 第1部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划 GB/T 9771（所有部分） 通信用单模光纤 GB/T 26125 电子电气产品 六种限用物质（铅、汞、镉、六价铬、多溴联苯和多溴二苯醚）的测定 GB/T 26572-2011 电子信息产品中有毒有害物质的限量要求 YD/T 1766-2016 光通信用光收发合一模块的可靠性试验失效判据 YD/T 2618.3-2014 40Gb/s相位调制光收发合一模块技术条件 第3部分：相干接收和双极性相移键控调制 YD/T 2798.1-2015 用于光通信的光收发合一模块测试方法 第1部分：单波长型 YD/T 2969.3-2018 100Gbit/s双偏振正交相移键控（DP-QPSK）光收发模块技术条件 第3部分：CFP2-ACO光模块 YD/T 3783-2020 N400Gb/s光波分复用（WDM）系统技术要求 YD/T 3786-2020 N400Gb/s光波分复用（WDM）系统测试方法 SJ/T 11364-2014 电子信息产品中污染控制标识要求 IEC 61000-4-2 电磁兼容试验 第4-2部分 ： 试验和测量技术-静电放电抗扰度试验（Electromagnetic compatibility (EMC) Part 4-2: Testing and measurement techniques Electrostatic discharge immunity test） IEC 61000-4-3 电磁兼容试验 第4-3部分：试验和测量技术-辐射，射频，电磁场抗扰度试验（Electromagnetic compatibility (EMC) Part 4-3: Testing and measurement techniquesRadiated, radio-frequency, electromagnetic field immunity test） IEEE 802.3-2018 以太网标准（IEEE Standard for Ethernet） YD/T XXXX.1-202X 2ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2014 静电放电敏感度试验-人体放电模型（HBM）组成等级（For Electrostatic Discharge Sensitivity Testing-Human Body Model (HBM) Component Level） Telcordia GR-468-CORE-2004 用于电信设备的光电器件通用可靠性保证要求 （Generic reliability assureance requirements for optoelectronic devices used in telecommunications equipment） MIL-STD-883K-2016 微电子器件试验方法（Test Method Standard-Microcircuits） CFP MSA HW Rev.1.4 CFP光模块硬件规范1.4版（CFP MSA Hardware Specification） CFP MSA MIS Rev.2.6 CFP光模块管理接口规范2.6版（CFP MSA Management Interface Specification） OIF-MSA-100GLH-EM-02.1 第二代100G长距DWDM传输模块电气机械实施协议02.1版（Implementation Agreement For Generation 2.0 100G Long-Haul DWDM Transmission Module-Electromechanical） OIF-CFP2-DCO-01.0 CFP2数字相干光模块实施协议01.0版（Implementation Agreement for CFP2-Digital Coherent Optics Module） FCC PART 15 射频器件（Radio frequency devices） 3术语和定义 YD/T 2618.3-2014、YD/T 2798.1-2015、YD/T 2969.3-2018、YD/T 3783-2020 界定的术语和定义适用于本文件。 4缩略语 下列缩略语适用于本文件。 AQL 接收质量限(Acceptance Quality Limit) BER 比特差错率(Bit Error Ratio) CFP 100Gb/s可插拔光收发合一模块(Centum Form Factor Pluggable Module) CFP2 100Gb/s可插拔光收发合一模块-类型2(Centum Form Factor Pluggable Module-Type 2) DCO 数字接口相干光学（Digital Coherent Optics） DGD 差分群时延(Differential Group Delay) DP-QPSK 双偏振正交相移键控（Dual Polarization-Quadrature Phase Shift Keying） DSP 数字信号处理(Digital Signal Processing) DWDM 密集波分复用(Dense Wavelength Division Multiplexing) EMC 电磁兼容(Electromagnetic Compatibility) EOL 寿命终止(End of Life) ESD 静电放电(Electro-Static Discharge) FEC 前向纠错(Forward Error Correction) HBM 人体模型(Human Body Model) LVCMOS 低电压互补金属氧化物半导体(Low Voltage Complementary Metal Oxide YD/T XXXX.1202X3Semiconductor) MDIO 管理数据输入输出(Management Data Input Output) MIS 管理接口规范(Management Interface Specification) OSNR 光信噪比(Optical Signal-to-Noise Ratio) PM-QPSK 偏振复用正交相移键控（Polarization Multiplexing-Quadrature Phase Shift Keying） RX 接收机(Receiver) TX 发送机(Transmitter) 5分类和功能框图 5.1分类 光模块按封装类型可分为： 非热插拔式光模块； 热插拔式光模块。 其中，非热插拔式光模块包括 45320-PIN 光模块；热插拔式光模块包括 CFP 相干光模块和CFP2-DCO 光模块。 5.2功能框图 光模块的功能框图见图 1。 图 1 功能框图 6技术要求 6.1光纤类型 光模块采用单模光纤，光纤要求符合GB/T 9771（所有部分）的相关规定。 6.2封装形式 光模块的典型封装形式见表1。 表1封装形式 YD/T XXXX.1-202X 4封装形式 引脚数量 电接口 机械尺寸及引脚定义 非热插拔式 45 320-PIN 320 8对25Gb/s NRZ或4对50Gb/s PAM4a CFP 148 8对25Gb/s 热插拔式 CFP2-DCO 104 8对25Gb/s NRZ或4对50Gb/s PAM4a 机械尺寸参见附录A，引脚定义见附录B a 其它类型的电接口待研究。 6.3极限条件 光模块的极限条件见表2。 表2极限条件 参数名称 最小值 最大值 单位 非热插拔式 45 320-PIN -0.5 +12.6 CFP 电源电压 热插拔式 CFP2-DCO -0.5 +3.6 V 接收光功率损坏阈值 +5.5 - dBm 贮存温度 -40 +85 尾纤弯曲半径a 15 - mm 非热插拔式 45 320-PIN - 75 CFP - 40 模块功耗 热插拔式 CFP2-DCO - 24 W a 尾纤弯曲半径适用于非热插拔式封装。 6.4推荐工作条件 光模块的推荐工作条件见表3。 表3推荐工作条件 参数名称 最小值 最大值 单位 非热插拔式 45 320-PIN 11.4 12.6 CFP 电源电压 热插拔式 CFP2-DCO 3.2 3.4 V 非热插拔式 45 320-PIN - 6.6 CFP - 12.5 供电电流 热插拔式 CFP2-DCO - 7.5 A 相对湿度 5 95 % 壳温 0 +70 模块插拔次数a 200 - - 电源噪声 非热插拔式 45 320-PIN - 1（1Hz20MHz）b % YD/T XXXX.1202X5CFP 热插拔式 CFP2-DCO - 2（10/min，极限温度下的停留时间不小于 10 min，循环次数：500 次（UNCe） 、100 次（COe） 20 11 0 非工作环境试验 恒定湿热 Telcordia GR-468-CORE：2004 3.3.2.3 温度 85，相对湿度 85%，时间 500h 20 11 0 寿命 （高温） Telcordia GR-468-CORE：2004 3.3.3.1 工作温度 70，正常工作条件下，时间2000h 20 11 0 湿热循环（工作）f Telcordia GR-468-CORE：2004 3.3.3.2 温度范围 6525-10，高温时湿度 90%，低温湿度不控制，循环 10 次g 20 11 0 工作环境试验 恒定湿热（工作） Telcordia GR-468-CORE：2004 3.3.3.3 最高工作温度（按产品的工作温度来定），相对湿度 85%，正常工作条件下，时间1000h 20 11 0 a LTPD为批内允许不合格品率，SS为最小样品数，C为合格判定数； b 试验气候条件除相对湿度为30%60%外，其它同7.1；试验室的电磁环境不应影响试验结果； c 仅适用于带尾纤型产品； d 仅适用于不带尾纤型产品； e UNC为非可控环境，CO为可控环境； f 仅适用于非可控环境（UNC）； g 变化速率的具体要求参见MIL-STD-883K-2016图1004-1。 8.3失效判据 8.3.1ESD 阈值、机械完整性、非工作环境试验、工作环境试验失效判据 各项试验完成后，在相同测试条件下，出现下列故障中的任意一种情况即判定为不合格： a) 外壳破裂或有裂纹，内部元器件发生脱落； b) 在相同测试条件和测试方法下，试验前后，参数变化量出现下列任意一种情况： 1) 中心频率变化量大于 2.0GHz； 2) 平均输出光功率变化量大于 1.0dB； 3) OSNR 容限劣化大于 1dB； YD/T XXXX.1202X114) 参数不满足表 4 的要求。 8.3.2ESD 抗扰度试验失效等级判据 ESD抗扰度失效等级可按照如下要求分类，等级的失效判据如下： a) 在制造商、委托方或购买方规定的限值内性能正常； b) 功能或性能暂时丧失或降低，但在骚扰停止后能自行恢复，不需要操作者干预； c) 功能或性能暂时性丧失或降低，但需操作者干预才能恢复； d) 因设备硬件或软件损坏，或数据丢失而造成不能恢复的功能丧失或性能下降。 9电磁兼容试验要求 9.1电磁兼容试验要求 光模块的电磁兼容试验要求见表12。 表 12 电磁兼容试验要求 抽样方案 试验项目 引用标准 试验条件 LTPDa SSa Ca 射频电磁场 辐射抗扰度试验 IEC 61000-4-3 80MHz6000MHz，10V/m，80%幅度调制(1kHz 正弦波) - 1 0 射频电磁场 辐射发射试验 FCC PART 15 B 级信息技术设备要求 30MHz40GHzb - 3 0 a LTPD为批内允许不合格品率，SS为最小样品数，C为合格判定数； b 测量频率上限的选择如下：频率低于108MHz，则测量频率上限为1GHz；频率在108MHz500MHz之间，则测量频率上限为2GHz；频率在500MHz1GHz，则测量频率上限为5GHz；频率高于1GHz，则测量频率上限为40GHz。 9.2射频电磁场辐射发射试验限值 光模块的射频电磁场辐射发射试验限值见表13。 表 13 射频电磁场辐射发射试验限值 B 级信息技术设备在测量距离 10m 处 B 级信息技术设备在测量距离 3m 处 频率范围（MHz） 准峰值/平均值限值a（dBV/m） 峰值限值 （dBV/m） 准峰值/平均值限值a（dBV/m） 峰值限值 （dBV/m） 3088 30 - 40 - 88216 33.5 - 43.5 - 216960 36 - 46 - 9603000 50 70 300040000 - - 54 74 注 1：当出现环境干扰时，可采取附加措施； YD/T XXXX.1-202X 12注 2：B 级信息技术设备在测量距离 3m 处或者 10m 处，二者选一； 注 3：在过渡频率处，可采取较低的限值。 a 960MHz及以下频率测试时限值要求为准峰值限值；960MHz及以上频率测试时限值要求为平均值限值和峰值限值。 9.3失效判据 射频电磁场辐射抗扰度试验失效判据见8.3.2，产品应达到a)的要求；射频电磁场辐射发射试验失效判据见YD/T 1766-2016中8.2的规定。 10检验规则 10.1检验分类 检验分为出厂检验、型式检验和电磁兼容试验。 10.2出厂检验 10.2.1常规检验 常规检验应百分之百进行，检验项目如下： a） 外观：目测，符合 6.8 节要求。 b） 性能 ： 按 7.37.10 节规定的测试方法，对性能参数中心频率、平均输出光功率、OSNR 容限进行检测，其结果符合表 4 的规定。 c） 高温电老化 老化条件：在最大工作温度下，光模块正常工作状态，老化时间至少24h； 恢复：在正常大气条件下恢复1h后按7.3至7.10节规定的测试方法进行测试； 失效判据：中心频率、平均输出光功率、OSNR容限等不满足表4的规定。 d） 温度循环 温循条件：非工作状态，极限温度-40、+85，温度变化速率大于或等于10/min，极限温度下的停留时间不小于10min，循环次数20次； 恢复：在正常大气条件下恢复1h后按7.37.10节定的测试方法进行测试； 失效判据：中心频率、平均输出光功率、OSNR容限等不满足表4要求。 10.2.2抽样检验 从批量生产中生产的同批或若干批产品中，按 GB/T 2828.1 规定，取一般检查水平，接收质量限（AQL）和检验项目如下： a） 外观： AQL取1.5； 检验方法：目测，其结果符合6.8节的要求。 b） 外形尺寸： AQL取1.5； YD/T XXXX.1202X13检验方法：用满足精度要求的量度工具测量，其结果符合6.2节的要求。 c） 性能检测： AQL取0.4； 检验方法：按7.37.10节的规定进行测试，检验项目同10.2.1 b），其结果符合表4的规定。 10.3型式检验和电磁兼容试验 10.3.1型式检验条件 光模块有下列情况之一时，应进行型式检验： 产品定型时或已定型产品转场时； 正式生产后，如果结构、材料、工艺有较大改变，可能影响产品性能时； 产品长期停产 12 个月后，恢复生产时； 出厂检验结果与定型时的型式检验有较大差别时； 正常生产 24 个月后； 国家质量监督机构提出进行型式检验要求时。 10.3.2电磁兼容试验条件 光模块有下列情况之一时，应进行电磁兼容试验： 产品设计定型时； 正式生产后，如果结构、材料、工艺有较大改变，可能影响产品的电磁兼容性能时。 10.3.3检验要求 在进行型式检验和电磁兼容试验前，按7.3至7.10节的规定，对样品的性能参数进行测试，并记录测试结果。 10.3.4检验项目及抽样方案 型式检验的检验项目及抽样方案见表 11。电磁兼容试验的试验项目及抽样方案见表 12。 10.3.5样品的使用规则 样品的使用规则如下: a) 凡经受了型式检验的样品，一律不能作为合格品交付使用； b) 在不影响检验和试验结果的条件下，一组样品可用于其他分组的检验和试验。 10.3.6产品的不合格判定 各项试验完成后，不合格判定按 8.3 节或 9.3 节规定执行，若其中任何一项试验不符合要求时，则判该批不合格。 10.3.7不合格批的重新提交 YD/T XXXX.1-202X 14当提交型式检验或电磁兼容试验的任一检验批不符合表 11 或表 12 中规定的任一分组要求时，应根据不合格原因， 采取纠正措施后， 对不合格的检验分组重新提交检验。 重新检验应采用加严抽样方案。若重新检验仍有失效，则该批拒收。如通过检验，则判为合格。但重新检验不得超过 2 次，并应清楚标明为重新检验批。 10.3.8检验批的构成 提交检验的批，可由一个生产批构成，或由符合下述条件的几个生产批构成： 这些生产批是在相同材料、工艺、设备等条件下制造出来的； 若干个生产批构成一个检验批的时间不超过 1 个月。 11标志、包装、运输和贮存 11.1标志 11.1.1标志内容 每个产品应标明产品型号、规格、编号、批的识别代码及安全等标志。 11.1.2标志要求 进行全部试验后，标志应保持清晰。标志损伤了的产品应重新打印标志，以保证发货之前标志的清晰。 11.1.3污染控制标志 产品的污染控制标志应按 SJ/T 11364-2014 第 5 章规定，在包装盒或产品上打印上电子信息产品污染控制标志。 11.2包装 产品应有良好的包装及防静电措施，避免在运输过程中受到损坏。包装盒上应标有产品名称、型号和规格、生产厂家、产品执行标准号、防静电标识、激光防护标志等。 包装盒内应有产品说明书。说明书内容包括 ： 产品名称、型号、简要工作原理和主要技术指标、极限工作条件、安装尺寸和管脚排列、使用注意事项等。 11.3运输 包装好的产品可用常用的交通工具运输，运输过程中应避免雨雪的直接淋袭、烈日曝晒和猛烈撞击。 11.4贮存 产品应贮存在环境温度为-10+40，相对湿度不大于80%且无腐蚀性气体、液体的仓库里。贮存期超过12个月的产品，出库前，应按7.37.10节规定的方法进行光电特性测试，测试结果符合表4要求方可出库。 YD/T XXXX.1202X15A A 附录A （资料性附录） 机械尺寸 A.1320-PIN光模块机械尺寸 45 320-PIN光模块机械尺寸见图A.1。 图A.1 45 320-PIN 光模块机械尺寸 A.2CFP相干光模块机械尺寸 CFP相干光模块机械尺寸见图A.2。 单位为毫米YD/T XXXX.1-202X 16 图A.2 CFP 相干光模块机械尺寸 A.3CFP2-DCO光模块机械尺寸 CFP2-DCO光模块机械尺寸见图A.3。光口位置可以居中或左右偏移，不限制光口中心。 单位为毫米YD/T XXXX.1202X17 图A.3 CFP2-DCO 光模块机械尺寸 单位为毫米YD/T XXXX.1-202X 18B B 附录B （规范性附录） 引脚定义 B.1320-PIN光模块引脚定义 B.1.1320-PIN光模块引脚排列及尺寸 320-PIN光模块采用320引脚的连接器，外形图见图B.1，面向连接器，从下至上，分别为AH列引脚；每一列从左至右，引脚序号为0140。 图B.1 320-PIN 光模块连接器外形图 B.1.2320-PIN光模块引脚定义 45 320-PIN光模块引脚定义见表B.1。 表B.145320-PIN 光模块连接器引脚定义 序号 符号 输入或输出 逻辑电平 功能描述 A1 P12V - - 12V模块供电电压 A2 VND - - 分配给模块供应商的接口，不连接 A3 VND - - 分配给模块供应商的接口，不连接 A4 GND - - 地 A5 N.C. - - 不连接 A6 N.C. - - 不连接 A7 GND - - 地 A8 GND - - 地 单位为毫米YD/T XXXX.1202X19表B.1(续) 序号 符号 输入或输出 逻辑电平 功能描述 A9 N.C. - - 不连接 A10 N.C. - - 不连接 A11 GND - - 地 A12 GND - - 地 A13 N.C. - - 不连接 A14 N.C. - - 不连接 A15 GND - - 地 A16 GND - - 地 A17 N.C. - - 不连接 A18 N.C. - - 不连接 A19 GND - - 地 A20 GND - - 地 A21 TX1_D3P 输入 CML 1号电口的通道3输入数据 A22 TX1_D3N 输入 CML 1号电口的通道3反向输入数据 A23 GND - - 地 A24 GND - - 地 A25 TX1_D1P 输入 CML 1号电口的通道1输入数据 A26 TX1_D1N 输入 CML 1号电口的通道1反向输入数据 A27 GND - - 地 A28 GND - - 地 A29 TX0_D3P 输入 CML 0号电口的通道3输入数据 A30 TX0_D3N 输入 CML 0号电口的通道3反向输入数据 A31 GND - - 地 A32 GND - - 地 A33 TX0_D1P 输入 CML 0号电口的通道1输入数据 A34 TX0_D1N 输入 CML 0号电口的通道1反向输入数据 A35 GND - - 地 A36 GND - - 地 A37 FFU - - 预留给未来扩展用，不连接 A38 FFU - - 预留给未来扩展用，不连接 A39 P12V - - 12V模块供电电压 A40 P12V - - 12V模块供电电压 B1 P12V - - 12V模块供电电压 B2 P12V - - 12V模块供电电压 B3 PRTADR0 输入 1.2V LVCMOS MDIO地址比特 0 B4 VND - - 分配给模块供应商的接口，不连接 B5 GND - - 地 B6 GND - - 地 B7 N.C. - - 不连接 YD/T XXXX.1-202X 20 表B.1(续) 序号 符号 输入或输出 逻辑电平 功能描述 B8 N.C. - - 不连接 B9 GND - - 地 B10 GND - - 地 B11 N.C. - - 不连接 B12 N.C. - - 不连接 B13 GND - - 地 B14 GND - - 地 B15 N.C. - - 不连接 B16 N.C. - - 不连接 B17 GND - - 地 B18 GND - - 地 B19 N.C. - - 不连接 B20 N.C. - - 不连接 B21 GND - - 地 B22 GND - - 地 B23 TX1_D2P 输入 CML 1号电口的通道2输入数据 B24 TX1_D2N 输入 CML 1号电口的通道2反向输入数据 B25 GND - - 地 B26 GND - - 地 B27 TX1_D0P 输入 CML 1号电口的通道0输入数据 B28 TX1_D0N 输入 CML 1号电口的通道0反向输入数据 B29 GND - - 地 B30 GND - - 地 B31 TX0_D2P 输入 CML 0号电口的通道2输入数据 B32 TX0_D2N 输入 CML 0号电口的通道2反向输入数据 B33 GND - - 地 B34 GND - - 地 B35 TX0_D0P 输入 CML 0号电口的通道0输入数据 B36 TX0_D0N 输入 CML 0号电口的通道0反向输入数据 B37 GND - - 地 B38 GND - - 地 B39 P12V - - 12V模块供电电压 B40 P12V - - 12V模块供电电压 C1 P12V - - 12V模块供电电压 C2 PRTADR1 输入 1.2V LVCMOS MDIO地址比特 1 C3 VND - - 分配给模块供应商的接口，不连接 C4 GND - - 地 C5 TX_REFCLK0_P 输入 CML 0号光口参考时钟输入 C6 TX_REFCLK0_N 输入 CML 0号光口参考时钟反向输入 YD/T XXXX.1202X21表B.1(续) 序号 符号 输入或输出 逻辑电平 功能描述 C7 GND - - 地 C8 GND - - 地 C9 TX_MCLK0_P 输出 CML 测试0号光口光眼图用，正常应用不使用 C10 TX_MCLK0_N 输出 CML 测试0号光口光眼图用，正常应用不使用 C11 GND - - 地 C12 GND - - 地 C13 VND - - 分配给模块供应商的接口，不连接 C14 VND - - 分配给模块供应商的接口，不连接 C15 GND - - 地 C16 GND - - 地 C17 VND - - 分配给模块供应商的接口，不连接 C18 VND - - 分配给模块供应商的接口，不连接 C19 GND - - 地 C20 GND - - 地 C21 VND - - 分配给模块供应商的接口，不连接 C22 VND - - 分配给模块供应商的接口，不连接 C23 GND - - 地 C24 GND - - 地 C25 VND - - 分配给模块供应商的接口，不连接 C26 VND - - 分配给模块供应商的接口，不连接 C27 GND - - 地 C28 GND - - 地 C29 VND - - 分配给模块供应商的接口，不连接 C30 VND - - 分配给模块供应商的接口，不连接 C31 GND - - 地 C32 GND - - 地 C33 N.C. - - 不连接 C34 N.C. - - 不连接 C35 GND - - 地 C36 GND - - 地 C37 N.C. - - 不连接 C38 N.C. - - 不连接 C39 GND - - 地 C40 P12V - - 12V模块供电电压 D1 P12V - - 12V模块供电电压 D2 P12V - - 12V模块供电电压 D3 PRTADR2 输入 1.2V LVCMOS MDIO地址比特 2 D4 MDIO 输入或输出 1.2V LVCMOS MDIO数据 D5 GND - - 地 YD/T XXXX.1-202X 22 表B.1(续) 序号 符号 输入或输出 逻辑电平 功能描述 D6 GND - - 地 D7 VND - - 分配给模块供应商的接口，不连接 D8 VND - - 分配给模块供应商的接口，不连接 D9 GND - - 地 D10 GND - - 地 D11 VND - - 分配给模块供应商的接口，不连接 D12 VND - - 分配给模块供应商的接口，不连接 D13 GND - - 地 D14 GND - - 地 D15 PRG_ALRM7 输出 3.3V LVCMOS 可编程告警7 D16 PRG_ALRM6 输出 3.3V LVCMOS 可编程告警6 D17 GND - - 地 D18 GND - - 地 D19 FFU - - 预留给未来扩展用，不连接 D20 FFU - - 预留给未来扩展用，不连接 D21 GND - - 地 D22 GND - - 地 D23 FFU - - 预留给未来扩展用，不连接 D24 FFU - - 预留给未来扩展用，不连接 D25 GND - - 地 D26 GND - - 地 D27 GLB_ALRM_L 输出 3.3V LVCMOS 全局告警 D28 PRG_ALRM3 输出 3.3V LVCMOS 可编程告警3 D29 GND - - 地 D30 GND - - 地 D31 PRG_ALRM2 输出 3.3V LVCMOS 可编程告警2 D32 PRG_ALRM1 输出 3.3V LVCMOS 可编程告警1 D33 GND - - 地 D34 GND - - 地 D35 N.C. - - 不连接 D36 TX_DIS0 输入 3.3V LVCMOS 0号光口关闭 D37 GND - - 地 D38 GND - - 地 D39 P12V - - 12V模块供电电压 D40 P12V - - 12V模块供电电压 E1 P12V - - 12V模块供电电压 E2 P12V - - 12V模块供电电压 E3 PRTADR3 输入 1.2V LVCMOS MDIO地址比特3 E4 MDC 输入 1.2V LVCMOS MDIO时钟 YD/T XXXX.1202X23表B.1(续) 序号 符号 输入或输出 逻辑电平 功能描述 E5 GND - - 地 E6 GND - - 地 E7 VND - - 分配给模块供应商的接口，不连接 E8 VND - - 分配给模块供应商的接口，不连接 E9 GND - - 地 E10 GND - - 地 E11 VND - - 分配给模块供应商的接口，不连接 E12 VND - - 分配给模块供应商的接口，不连接 E13 GND - - 地 E14 GND - - 地 E15 PRG_ALRM5 输出 3.3V LVCMOS 可编程告警5 E16 PRG_ALRM4 输出 3.3V LVCMOS 可编程告警4 E17 GND - - 地 E18 GND - - 地 E19 FFU - - 预留给未来扩展用，不连接 E20 FFU - - 预留给未来扩展用，不连接 E21 GND - - 地 E22 GND - - 地 E23 FFU - - 预留给未来扩展用，不连接 E24 FFU - - 预留给未来扩展用，不连接 E25 GND - - 地 E26 GND - - 地 E27 MOD_LOPWR 输入 3.3V LVCMOS 模块低功耗 E28 PRG_CNTL3 输入 3.3V LVCMOS 可编程控制引脚3 E29 GND - - 地 E30 GND - - 地 E31 PRG_CNTL2 输入 3.3V LVCMOS 可编程控制引脚2 E32 PRG_CNTL1 输入 3.3V LVCMOS 可编程控制引脚1 E33 GND - - 地 E34 GND - - 地 E35 N.C. - - 不连接 E36 RX_LOS0 输出 3.3V LVCMOS 0号光口收无光告警 E37 GND - - 地 E38 GND - - 地 E39 P12V - - 12V模块供电电压 E40 P12V - - 12V模块供电电压 F1 P12V - - 12V模块供电电压 F2 PRTADR4 输入 1.2V LVCMOS MDIO地址比特4 F3 MOD_RST_L 输入 3.3V LVCMOS 模块复位 YD/T XXXX.1-202X 24 表B.1(续) 序号 符号 输入或输出 逻辑电平 功能描述 F4 GND - - 地 F5 N.C. - - 不连接 F6 N.C. - - 不连接 F7 GND - - 地 F8 GND - - 地 F9 N.C. - - 不连接 F10 N.C. - - 不连接 F11 GND - - 地 F12 GND - - 地 F13 VND - - 分配给模块供应商的接口，不连接 F14 VND - - 分配给模块供应商的接口，不连接 F15 GND - - 地 F16 GND - - 地 F17 VND - - 分配给模块供应商的接口，不连接 F18 VND - - 分配给模块供应商的接口，不连接 F19 GND - - 地 F20 GND - - 地 F21 VND - - 分配给模块供应商的接口，不连接 F22 VND - - 分配给模块供应商的接口，不连接 F23 GND - - 地 F24 GND - - 地 F25 VND - - 分配给模块供应商的接口，不连接 F26 VND - - 分配给模块供应商的接口，不连接 F27 GND - - 地 F28 GND - - 地 F29 VND - - 分