PN8200 国产X电容放电芯片-PN8200规格书.pdf

PN8200 Chipown X电容放电专用芯片X电容放电专用芯片 概述概述PN8200是一款具有两个端子的X电容放电专用芯片，其待机损耗低同时能够满足电源系统的安规标准。PN8200内置了两个高压VDMOS开关，可有效的保护芯片避免雷击或浪涌的应力。芯片通过两个放电电阻接入到开关电源的交流输入端，当AC电压接入时，会有极低的电流流进芯片，芯片的待机损耗功率在5mW以内，当AC电压断电后，可通过放电电阻对X电容放电。放电电阻和X电容可灵活选择以优化系统的EMI性能。 产品特征产品特征内置1000V高雪崩能力的VDMOS无外部GND引脚，抗干扰能力强AC电压接入后阻止X电容放电AC电压断电后通过放电电阻对X电容放电X电容容值灵活调节，优化EMI设计芯片自偏置，无需外部偏置两端子结构，满足安规标准内部限制最大放电电流通过IEC 62368-1:2014认证应用领域应用领域要求极低空载损耗或极低待机损耗的转换器要求满足EuP Lot 6标准的电器白色家电封装封装/订购信息订购信息 订购代码订购代码封装封装PN8200SEC-R1SOP8典型应用典型应用深圳市骊微电子科技有限公司w w w .s z l w t e ch .co m芯朋微代理PN8200 Chipown 封装信息封装信息SOP8 封装外形及尺寸封装外形及尺寸 EE1A2AA1beDPIN#10.250LcGAUGE PLANE符号毫米尺寸英寸尺寸最小值最大值最小值最大值A1.4501.7500.0570.069A10.1000.2500.0040.010A21.3501.5500.0530.061b0.3300.5100.0130.020c0.1700.2500.0070.010D4.7005.1000.1850.201E5.8006.2000.2280.244E13.8004.0000.1500.157e1.270(BSC)0.050(BSC)L0.4001.2700.0160.0500808表层丝印表层丝印封装封装PN8200 YWWXXXXX SOP8 备注：Y：年份代码； WW：周代码； XXXXX：内部代码备注: 1. 此制图可以不经通知进行调整；2. 器件本体尺寸不含模具飞边；深圳市骊微电子科技有限公司w w w .s z l w t e ch .co m芯朋微代理PN8200 Chipown 编带及卷轴信息编带及卷轴信息 SOP8 Package A (mm) T (mm) T1 (mm) H (mm) C (mm) D (mm) d (mm) A0 (mm) B0 (mm) K0 (mm) 3301.0 3 +1/-012.4 +1/-01000.5 12.00 +0.5/-0.217.70 0.40 2.00 +0.5/-0.26.60 0.1 5.20.1 1.90.1W (mm) F (mm) E1 (mm) P0 (mm) P1 (mm) P2 (mm) D0 (mm) D1 (mm) Pin 1 Quadrant 12.00 0.1 5.500.1 1.75 0.10 4.00 0.10 8.0 0.1 2.0 0.1 1.5 +0.1/-01.55 0.05 UL 备注： 1. 此制图可以不经通知进行调整;2. 所有尺寸是毫米公制的标称值；3. 此制图并非按严格比例，且仅供参考。客户可联系芯朋销售代表获得更多细节；4. 此处举例仅供参考。深圳市骊微电子科技有限公司w w w .s z l w t e ch .co m芯朋微代理PN8200 Chipown 重要声明重要声明 无锡芯朋微电子股份有限公司保留更改规格的权利，恕不另行通知。无锡芯朋微电子股份有限公司对任何将其产品用于特殊目的的行为不承担任何责任，无锡芯朋微电子股份有限公司没有为用于特定目的产品提供使用和应用支持的义务。无锡芯朋微电子股份有限公司不会转让其专利许可以及任何其他的相关许可权利。 深圳市骊微电子科技有限公司w w w .s z l w t e ch .co m芯朋微代理