SVSP24NF60FJDD2 超晶结mos管-士兰微超结MOS_骊微电子.pdf
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1、士兰微电子 SVSP24NF60FJDD2 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.1 http: / 共 8 页 第 1 页 24A, 600V 超结 MOS功率管 描述 SVSP24NF60FJDD2 N 沟道增强型高压功率 MOSFET 采用士兰微电子超结 MOS 技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。 此外,SVSP24NF60FJD2 应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。 特点 24A,600V,RDS(on)(典型值)=0.15VGS=10V 创新高压技术 低栅极电荷 定期额定雪崩 较强 dv/dt 能力 高电流峰值 1.栅
2、极 2.漏极 3.源极123TO-220FJD-3L231 命名规则 公司超结MOS产品,用三位字符表示第一位S:士兰公司产品 第二三位VS:多层外延工艺产品额定电流标识,采用1-2位数字;例如:4 代表 4A额定耐压值,采用2位数字例如:60表示600V,65表示650V。封装外形标识。例如:F:TO-220FS V S P X N E X X X X X X沟道极性标识,N代表N 沟道特殊功能、规格标识,通常省略例如:E 表示内置了ESD保护结构规格标识,区分不同栅氧厚度及不同版本产品,通常缺省。工艺细分标识D2:二代EMI版E2:二代快速开关版 产品规格分类 产品名称 封装形式 打印名称
3、 环保等级 包装方式 SVSP24NF60FJDD2 TO-220FJD-3L P24NF60FJD 无卤 料管 士兰微电子 SVSP24NF60FJDD2 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.1 http: / 共 8 页 第 2 页 极限参数(除非特殊说明,TC=25C) 参数名称 符号 参数范围 单位 漏源电压 VDS 600 V 栅源电压 VGS 30 V 漏极电流 TC=25 C ID 24 A TC=100 C 15 漏极脉冲电流 IDM 96 A 耗散功率(TC=25C) - 大于25C每摄氏度减少 PD 48 W 0.4 W/C 单脉冲雪崩能量(注 1) EAS 1
4、260 mJ 反向二极管 dv/dt(注 2) dv/dt 15 V/ns MOS管 dv/dt 耐用性(注 3) dv/dt 50 V/ns 工作结温范围 TJ -55+150 C 贮存温度范围 Tstg -55+150 C 热阻特性 参数名称 符号 参数值 单位 芯片对管壳热阻 RJC 2.58 C/W 芯片对环境的热阻 RJA 62.5 C/W 电气参数(除非特殊说明,TC=25C) 参数名称 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V,ID=250A 600 - - V 漏源漏电流 IDSS VDS=600V,VGS=0V - - 6.0 uA
5、 栅源漏电流 IGSS VGS= 30V,VDS=0V - - 100 nA 栅极开启电压 VGS(th) VGS=VDS,ID=250A 2.5 - 4.5 V 静态漏源导通电阻 RDS(on) VGS=10V,ID=12A - 0.15 0.18 栅极电阻 Rg f=1.0MHz - 3.2 - 输入电容 Ciss VDS=100V,VGS=0V, f=1.0MHz - 1490 - pF 输出电容 Coss - 84 - 反向传输电容 Crss - 11 - 开启延迟时间 td(on) VDD=300V,VGS=10V, RG=25,ID=24A (注 4,5) - 21 - ns 开启
6、上升时间 tr - 69 - 关断延迟时间 td(off) - 246 - 关断下降时间 tf - 79 - 栅极电荷量 Qg VDD=480V, VGS=10V, ID=24A (注 4,5) - 61 - nC 栅极-源极电荷量 Qgs - 9.6 - 栅极-漏极电荷量 Qgd - 34 - 士兰微电子 SVSP24NF60FJDD2 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.1 http: / 共 8 页 第 3 页 源-漏二极管特性参数 参数名称 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 连续源极电流 IS MOS 管中源极、漏极构成的反偏 P-N 结 - - 24 A 源极
7、脉冲电流 ISM - - 96 二极管压降 VSD IS=24A,VGS=0V - - 1.4 V 反向恢复时间 Trr VDD=50V,IF=24A, dIF/dt=100A/s (注 4) - 225 - ns 反向恢复电荷 Qrr - 1.9 - C 注:注: 1. L=79mH,IAS=4.6A,VDD=100V, RG=25,开始温度TJ=25C; 2. VDS=0400V,ISD=24A, TJ=25C; 3. VDS=0480V; 4. 脉冲测试: 脉冲宽度300s,占空比2%; 5. 基本上不受工作温度的影响。 士兰微电子 SVSP24NF60FJDD2 说明书 杭州士兰微电子
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