SJ 21164-2016 MEMS惯性器件圆片减薄抛光工艺技术要求[电子].pdf
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1、中华人民共和国电子行业标准FL 6117 SJ 21164-2016 MEMS惯性器件圆片减薄抛光工艺技术要求Technical requirenlents for Iv1Erv1S inertil deVlce wafer grinding and poIishing procss 2016 -12一14发布2017一03-01实施国家国防科技工业局发布SJ 21164-2016 目IJ1=1 本标准由中国电子科技集团公司提出。本标准由工业和信息化部电子第四研究院归口。本标准起草单位:中国电子科技集团公司第十三研究所、中国人民解放军空军驻石家庄地区军事代表。本标准主要起草人:任霄峰、何洪涟I
2、 SJ 21164-2016 MEMS惯性器件困片减薄抛光工艺技术要求1 范围本标准规定了h在EMS惯性器件制造过程中圆片减薄抛光工艺的工艺流程、工艺要求和检验要求。本标准适用于圆片的机械减薄及化学机械抛光工艺。2 规范性引用文件下列文件巾的条款、修改单(不包含勘J划3术i吾4 一般唱,-4. 2环境要求4.2.1 净化环境工艺间净化条件应符合GB/T25915.1-2010中ISO7级规定。4.2.2 温度工作间的环境温度应控制在18oC -2 8 oC。4.2.3 相对湿度工作间的相对湿度应控制在30%-70%。SJ 21164-2016 4.2.4 工作场所本工艺应在洁净厂房内进行,洁净
3、厂房应符合GB50073-2013规定。工作场所应整洁有序,有良好的照明条件,湿法腐蚀工作区的光照度应不低于750lx,检验工作区的光照度应不低于10001x。4.3 安全要求4.3.1 工艺问人员应穿防静电净化服、防静电工作鞋,佩戴一次性口罩和手套。4.3.2 检查由水、电引起的安全隐患。4.3.3 设备必须接地可靠、安全。4.3.4 高压端操作时,必须两人在场,进行相关操作。4.3.5 按设备操作规程进行操作,防止事故的发生。4.3. 6 进行腐蚀液操作时应在指定的通风柜中操作,保证良好的通风状态,佩戴防护口罩、手套、眼镜等护具。4.3.7 清洗硅片所产生的废液应合理处置,废酸应回收在固定
4、容器中,定期回收处理。4.3.8 工艺过程中产生的尾气由废气管道接入厂房尾气排风口,禁止随意排放。4.4 材料要求本工艺所需主要材料及要求见表1,所用材料应严格按照相关存储条件存放,在有效期内使用。-名称化学抛光液氢氟酸氨气过氧化氢氨水去离子7.K4.5 设备、仪器和工具4.5.1 设备、仪器表1主要材料二r=技术要求用途分析纯,25% 抛光分析纯,40% 清洗99. 999% 干燥分析纯,30% 清洗分析纯,25% 清洗电阻率17MQ. cm 减薄、配液及清洗设备应定期进行鉴定,仪器应定期进行计量校准,在有效期内使用,本工艺常用设备、仪器见表2。2 SJ 21164-2016 表2常用设备和
5、仪器名称技术要求用途研磨机具备温控功能,温控误差在:I:2C以内;金刚石磨轮的目数为:粗磨3 00#减薄800#,精磨1500#2000+;具备计时、去离子水流量监控单元。化学抛光机具备自动供液系统,抛光液温控误差在士2 C以内:具备抛光液p H监控单抛光元;抛光头目数大于3 000+;具备计时、转速控制和下压力控制单元。光学测厚仪测量范围101-1m800m,测试误差小于3%。厚度测试清洗台具备超声清洗、喷淋功能清洗甩干机具备热氮气吹干功能甩干轮廓仪测量误差优于loA粗糙度测试显微镜最大放大倍数不低于500倍检验天平测量误差:1:0.19 自己i夜量杯测量误差土1ml配液4.5.2 工具工具
6、应完好无损、洁净,且工具尺寸规格应与因片尺寸规格相适应,所用工具如下:a) 银子:b) 烧柯,.c) 载片架:出石英篮:e) 聚囚氟花篮。5 工艺要求5. 1 工艺流程典型工艺流程斗1图见图l 。| 工艺|一_. .1 机械L一J化学机械L一一清洗| 队检验! 准备减薄抛光5. 2 工艺准备5.2.1 清洗液准备5. 2. 1. 1 抛光液图戚薄抛光工艺流程图士,艺用抛Yli液中Si02含量10%-20%。5.2. 1. 2 碱性清洗液去离子水:过氧化氢:氨水=20: 4 : 1 (体积比)。3 SJ 21164-2016 5.2. 1. 3 氢氟酸腐蚀液氢氟酸:去离子水=1: 20 (体积比
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